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Vanadiumdiborid VB
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Vanadiumdiborid VB

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Produktbeschreibung

Vanadiumdiborid VB

Name: Vanadiummonoborid


Chemical formula: VB


Farbe: Schwarzgrau


Kristall: unregelmäßig


Schmelzpunkt: 2980 ℃


Dichte: 3,77 g/cm3


Schmelzpunkt: 2450 °C


Dichte: 5,1 g/ml bei 25 °C (lit.)


CAS-Nr.: 12007-37-3


MDL-Nr.: MFCD00049697


Synthesemethode: Das Element Bor und das Element Niob werden im Verhältnis gemischt, unter Druck geformt und in einem Heizofen erhitzt.


Produktleistung: VB zeichnet sich durch einen hohen Schmelzpunkt, eine hohe Härte, eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit sowie Beständigkeit gegen Korrosion durch geschmolzenes Metall aus. Es wird zur Herstellung von Ultrahochtemperatur-Strukturmaterialien verwendet und hat wichtige Anwendungen in extremen Umgebungen wie Ultrahochtemperatur- und Metallschmelzen. Darüber hinaus verfügt VB als Elektrodenmaterial für Alkalibatterien über eine große Entladekapazität und ist ein neues Energiematerial. Es kann auch in leitfähigen Keramikmaterialien und anderen Bereichen eingesetzt werden.


Zweck:


1. Metallboride können zur Erzeugung von Batterien oder Brennstoffzellen verwendet werden, die eine alternative Energiequelle für Erdölressourcen darstellen können. Es wird erwartet, dass die elektrochemische Energiespeichertechnologie durch Mehrelektronenoxidation von Metallboriden wie Vanadiumborid die bestehenden Batterien, die auf der Einzelelektronen-Ladungsspeicherung von Chemicalbook basieren, ersetzen wird. Die Multi-Elektronen-Oxidation der Vanadiumborat-Anode in Verbindung mit der Kohlenstoff-Luft-Kathode kann aufgrund ihrer Multi-Elektronen-Ladungsspeicherkapazität eine hervorragende elektrochemische Energiespeicherkapazität bieten.


2. Es wird in leitfähigen Keramikmaterialien, feinem Keramikrohstoffpulver und anderen Bereichen verwendet, die zum Atomkristall gehören.


3. Vanadiumborid kann auch für verschleißfeste Beschichtungen verwendet werden. Die Vanadiumboridbeschichtung hat eine hohe Härte H ≥ 35 GPa und der Reibungskoeffizient beträgt 0,4 bis 0,6


4. Halbleiterfilm


Verpackung und Lagerung:


Versiegelt und in einer trockenen und kühlen Umgebung gelagert. Es sollte nicht der Luft ausgesetzt werden, um zu verhindern, dass Feuchtigkeit Oxidation und Agglomeration verursacht, was die Dispersionsleistung und den Gebrauchseffekt beeinträchtigt.



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